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Si5475BDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
10
25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.0 8
0.06
I D = 5.6 A
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
T A = 25 °C
T A = 125 °C
0.02
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
1.0
0.9
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Temperature
I D = 250 μ A
0. 8
30
0.7
20
0.6
0.5
0.4
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited b y R (DS)on *
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.1
T A = 25 °C
DC
Single P u lse
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73381
S-83054-Rev. D, 29-Dec-08
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